Инвентаризация:5810

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W (Ta), 25W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Tc)
  • Глубина 750pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSON (5x5.4)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 100A TO263

Инвентаризация: 1553

MOSFET P-CH 60V 100A TO263

Инвентаризация: 798

MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON

Инвентаризация: 4955

Top