Инвентаризация:6455

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W (Ta), 59W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Глубина 2250pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 38nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSON (5x5.4)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101

Инвентаризация: 25981

MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON

Инвентаризация: 4310

Top