Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric SA
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.7W (Ta), 21W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta), 57A (Tc)
• Глубина 1350pF @ 13V
• Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 16A, 10V
• Тип симистора 13nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.1V @ 35µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric SA