- Модель продукта SISS80DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13333
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 58.3A (Ta), 210A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.92mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество +12V, -8V
- 20 V
- 122 nC @ 10 V
- 6450 pF @ 10 V