Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric MD
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 38A (Ta), 211A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 0.75mOhm @ 50A, 10V
• Материал феррулы 2.1W (Ta), 63W (Tc)
• Барьерный тип 1.1V @ 100µA
• Максимальное переменное напряжение DIRECTFET™ MD
• Длина ремня 2.5V, 4.5V
• Шаг Количество ±12V
• 20 V
• 158 nC @ 4.5 V
• 8292 pF @ 10 V