Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerWQFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.04W (Ta), 26W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16.1A (Ta), 80A (Tc)
  • Глубина 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 18A, 10V
  • Тип симистора 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 400µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-WQFN (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


TRENCH <= 40V

Инвентаризация: 4443

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23

Инвентаризация: 130815

MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN

Инвентаризация: 949

MOSFET 2N-CH 30V 12A/54A 12WQFN

Инвентаризация: 2718

MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT

Инвентаризация: 8648

Top