Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N Channel (Phase Leg)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 2.97kW (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 733A (Tc)
• Глубина 27000pF @1000V
• Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 360A, 20V
• Тип симистора 2088nC @ 20V
• Барьерный тип 2.8V @ 9mA
• Максимальное переменное напряжение D3