- Модель продукта MSCSM120AM042CD3AG
- Бренд Roving Networks (Microchip Technology)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 495A D3
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1501
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N Channel (Phase Leg)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 2.031kW (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 495A (Tc)
- Глубина 18.1pF @ 1000V
- Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 240A, 20V
- Тип симистора 1392nC @ 20V
- Барьерный тип 2.8V @ 6mA
- Максимальное переменное напряжение D3
Сопутствующие товары
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Инвентаризация: 51
SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 700V 238A SP4
Инвентаризация: 1
