Инвентаризация:3500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 280mOhm @ 4.9A, 10V
  • Материал феррулы 3.8W (Ta), 49W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-262 (I2PAK)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 60 V
  • 19 nC @ 10 V
  • 600 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK

Инвентаризация: 901

P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 19524

P-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 3060

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 12581

Top