- Модель продукта IRF610B
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание N-CHANNEL POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:5125
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
- Материал феррулы 38W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 200 V
- 9.3 nC @ 10 V
- 225 pF @ 25 V