- Модель продукта IRF610PBF
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:24457
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 36W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 8.2 nC @ 10 V
- 140 pF @ 25 V