- Модель продукта IPB120P04P4L03ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5167
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.4mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 340µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3-2
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +5V, -16V
- 40 V
- 234 nC @ 10 V
- 15000 pF @ 25 V