- Модель продукта STH2N120K5-2AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3024
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10Ohm @ 500mA, 10V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-2
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 1200 V
- 5.3 nC @ 10 V
- 124 pF @ 100 V
- AEC-Q101