- Модель продукта SIHP11N80AE-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2192
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 450mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 78W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 42 nC @ 10 V
- 804 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Инвентаризация: 3466
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Инвентаризация: 1044
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Инвентаризация: 130
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Инвентаризация: 1997
