- Модель продукта IPT60R040S7XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 13A, 12V
- Материал феррулы 245W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 790µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-2
- Длина ремня 12V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 83 nC @ 12 V
- 3127 pF @ 300 V
Сопутствующие товары
400KHZ, HIGH ACCURACY CURRENT SE
Инвентаризация: 1965
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Инвентаризация: 11611
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Инвентаризация: 255
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Инвентаризация: 3975
