Инвентаризация:2105

Технические детали

  • Тип монтажа TO-3P-3, SC-65-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 140A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 70A, 10V
  • Материал феррулы 375W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-3PN
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 100 V
  • 285 nC @ 10 V
  • 7900 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

Инвентаризация: 800

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Инвентаризация: 6918

MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF

Инвентаризация: 19612

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Инвентаризация: 3338

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Инвентаризация: 5396

MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC

Инвентаризация: 17458

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

Инвентаризация: 800

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

Инвентаризация: 5257

MOSFET N-CH 100V 140A TO3P

Инвентаризация: 0

Top