- Модель продукта FDMS86101
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6896
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.4A (Ta), 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 13A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 55 nC @ 10 V
- 3000 pF @ 50 V