Инвентаризация:1501

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 51A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 51A, 10V
  • Материал феррулы 180W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±16V
  • 100 V
  • 86 nC @ 10 V
  • 2400 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Инвентаризация: 641

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Инвентаризация: 735

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Инвентаризация: 575

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

Инвентаризация: 1345

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

Инвентаризация: 3765

PTNG 100V LL SO8FL

Инвентаризация: 0

PTNG 100V LL LFPAK4

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN

Инвентаризация: 0

Top