Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10.6mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 85µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 2150 pF @ 50 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

Инвентаризация: 1249

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Инвентаризация: 734

MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Инвентаризация: 641

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Инвентаризация: 735

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Инвентаризация: 575

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

Инвентаризация: 1

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

Инвентаризация: 1345

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

Инвентаризация: 3765

PTNG 100V LL SO8FL

Инвентаризация: 0

PTNG 100V LL LFPAK4

Инвентаризация: 3000

Top