Инвентаризация:3121

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.7A (Ta), 76A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 9.8A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 52 nC @ 10 V
  • 2747 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 18753

MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2400

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 2687

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF

Инвентаризация: 8486

DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123

Инвентаризация: 4586

Top