- Модель продукта SH8MA3TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:21189
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 6A (Ta)
- Глубина 300pF @ 15V, 480pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
- Тип симистора 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP