Инвентаризация:21189

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 6A (Ta)
  • Глубина 300pF @ 15V, 480pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2531

MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP

Инвентаризация: 2304

Top