Инвентаризация:3804

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta), 15A (Ta)
  • Глубина 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSOP

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8

Инвентаризация: 3209

MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP

Инвентаризация: 19689

Top