- Модель продукта HP8MA2TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:3804
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta), 15A (Ta)
- Глубина 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
- Тип симистора 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP