Инвентаризация:2609

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 15.4mOhm @ 9A, 10V
  • Материал феррулы 650mW (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 4V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 56 nC @ 10 V
  • 3000 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 12774

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Инвентаризация: 6768

Top