Технические детали

• Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta), 2A (Ta)
• Глубина 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
• Тип симистора 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение TSMT8