- Модель продукта IPB110P06LMATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3057
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 300W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 5.55mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3-2
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 281 nC @ 10 V
- 8500 pF @ 30 V