Инвентаризация:127135

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 23W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN-EP (3x3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1037 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN

Инвентаризация: 278763

MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 2939

MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN

Инвентаризация: 4921

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 224575

MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN

Инвентаризация: 15601

MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN

Инвентаризация: 4158

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

Инвентаризация: 391777

MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F

Инвентаризация: 22075

Top