- Модель продукта TP65H035G4QS
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TOLL
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 967
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Инвентаризация: 402
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Инвентаризация: 2981
650 V 29 A GAN FET
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Инвентаризация: 3942
