- Модель продукта DMWSH120H90SM4Q
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 97.5mOhm @ 20A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 235W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-4
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) +19V, -8V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47.6 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1112 pF @ 1000 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Инвентаризация: 172
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Инвентаризация: 50
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
Инвентаризация: 316
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Инвентаризация: 61
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 7
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Инвентаризация: 338
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Инвентаризация: 1372
