Инвентаризация:1550

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 50A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 429W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 17.7mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 156.3 nC @ 15 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 27

SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

Top