Инвентаризация:2872

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 53A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 20A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 341W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37.8 nC @ 800 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1450 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 27

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L

Инвентаризация: 55

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3

Инвентаризация: 36046

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

Инвентаризация: 806

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

Инвентаризация: 495

Top