Инвентаризация:1853

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 131W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 3.6mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1170 pF @ 600 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Инвентаризация: 39

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 382

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

Top