Инвентаризация:3080

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 53.7A (Ta), 376A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.91mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 5W (Ta), 244W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFNW (8.3x8.4)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 113 nC @ 10 V
  • 8705 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Инвентаризация: 29540

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 8967

MOSFET N-CH 60V 398.2A

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW

Инвентаризация: 3094

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

Инвентаризация: 1753

T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI

Инвентаризация: 5643

Top