- Модель продукта DMN2009USS-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2757
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 1.4W
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 34 nC @ 10 V
- 1706 pF @ 10 V