- Модель продукта HAT1126RWS-E
- Бренд Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- RoHS No
- Описание MOSFET 2P-CH 60V 6A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta)
- Глубина 2300pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 37nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP