- Модель продукта FDD8880
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6785
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 58A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 35A, 10V
- Материал феррулы 55W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 31 nC @ 10 V
- 1260 pF @ 15 V