- Модель продукта FDD306P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11320
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
- Материал феррулы 52W (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 21 nC @ 4.5 V
- 1290 pF @ 6 V