- Модель продукта FDC658P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10693
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.6W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SuperSOT™-6
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 12 nC @ 5 V
- 750 pF @ 15 V