- Модель продукта FDC645N
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5863
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 6.2A, 10V
- Материал феррулы 1.6W (Ta)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SuperSOT™-6
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 30 V
- 21 nC @ 4.5 V
- 1460 pF @ 15 V