- Модель продукта FDC3601N
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 700mW
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A
- Глубина 153pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 500mOhm @ 1A, 10V
- Тип симистора 5nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SuperSOT™-6
Сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Инвентаризация: 0
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F
Инвентаризация: 0
LOW POWER HUMIDITY AND TEMPERATU
Инвентаризация: 5666
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Инвентаризация: 7384
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Инвентаризация: 54410
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
