- Модель продукта FDD13AN06A0
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11399
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.9A (Ta), 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13.5mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 115W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 29 nC @ 10 V
- 1350 pF @ 25 V