Инвентаризация:6370

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.9mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 2078 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333

Инвентаризация: 623

MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333

Инвентаризация: 1816

MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060

Инвентаризация: 4701

MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI

Инвентаризация: 4945

Top