Инвентаризация:1830

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 580mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Материал феррулы 510mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.8 nC @ 8 V
  • 46.1 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23

Инвентаризация: 428069

MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3

Инвентаризация: 20887

Top