Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Ta), 12A (Tc)
• Глубина 834pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
• Тип симистора 19nC @ 8V
• Барьерный тип 1.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO