Инвентаризация:27721

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 1.3 nC @ 10 V
  • 56 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Инвентаризация: 114001

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

Инвентаризация: 9062

MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23

Инвентаризация: 7938

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8X2SON

Инвентаризация: 123541

Top