- Модель продукта SISS10ADN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:31250
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 31.7A (Ta), 109A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.65mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 40 V
- 61 nC @ 10 V
- 3030 pF @ 20 V