- Модель продукта FDM3622
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4580
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 4.4A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 17 nC @ 10 V
- 1090 pF @ 25 V