- Модель продукта FDD10AN06A0
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3886
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 135W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 37 nC @ 10 V
- 1840 pF @ 25 V