- Модель продукта SISS30DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14417
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.25mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 40 nC @ 10 V
- 1666 pF @ 10 V