- Модель продукта HUF75639P3
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 56A, 10V
- Материал феррулы 200W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 130 nC @ 20 V
- 2000 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Инвентаризация: 800
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Инвентаризация: 5257
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Инвентаризация: 735
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Инвентаризация: 575
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Инвентаризация: 1027
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Инвентаризация: 7181
