- Модель продукта SISH112DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7235
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SH
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SH
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 30 V
- 27 nC @ 4.5 V
- 2610 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
TRANS NPN 150V 1A SOT89-3
Инвентаризация: 4201
TRENCH 40<-<100V
Инвентаризация: 422
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 8329
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Инвентаризация: 19634
